SCR and THYRISTOR SILICON CONTROLLED RECTIFIERS (SCR) A  silicon  controlled  rectifier  is  a  semiconductor  device  that  acts  as  a  true  electronic  switch. it can change alternating current and at the same time can control the amount of power  fed to the load. SCR combines the features of a rectifier and a transistor.

CONSTRUCTION When a pn junction is added to a junction transistor the resulting three pn junction device  is called a SCR. ordinary rectifier (pn)  and a junction transistor (npn) combined in one unit to  form pnpn device. three terminals are taken : one from the outer p­ type material called anode a  second from the outer n­ type material called cathode K and the third from the base of transistor  called Gate. GSCR is a solid state equivalent of thyratron. the gate anode and cathode of SCR  correspond to the grid plate and cathode of thyratron SCR is called thyristor

WORKING Load is connected in series with anode the anode is always kept at positive potential w.r.t  cathode. WHEN GATE IS OPEN

No voltage applied to the gate, j2 is reverse biased while j1 and j3 are FB . J1 and J3 is  just in npn transistor with base open .no current flows through the load RL and SCR is cut off. if  the applied voltage is gradually increased a stage is reached when RB junction J2 breakdown .the 

SCR  now    conducts  heavily  and    is  said  to  be  ON  state.  the  applied  voltage  at  which  SCR  conducts heavily without gate voltage is called Break over Voltage. WHEN GATE IS POSITIVE W.R.T CATHODE.

The  SCR  can  be  made  to  conduct  heavily  at  smaller  applied  voltage  by  applying  small  positive potential to the gate.J3 is FB and J2 is RB the electron from n type material start moving  across  J3  towards  left  holes  from  p  type  toward  right.  electrons  from  j3  are  attracted  across  junction J2 and gate current starts flowing. as soon as gate current flows anode current increases.  the increased anode current in turn makes more electrons available at J2  breakdown and SCR  starts conducting heavily. the gate looses all control if the gate voltage is removed anode current  does not decrease at all. The only way to stop conduction is to reduce the applied voltage to zero. BREAKOVER VOLTAGE  I  t  is  the  minimum  forward  voltage  gate  being  open  at  which  SCR  starts  conducting  heavily i.e turned on PEAK REVERSE VOLTAGE( PRV) It is the maximum reverse voltage applied to an SCR without conducting in the reverse  direction. HOLDING CURRENT  It  is  the  maximum  anode  current  gate  being  open  at  which  SCR  is  turned  off  from  on  conditions. FORWARD CURRENT RATING  It is the maximum anode current that an SCR is capable of passing without destruction CIRCUIT FUSING RATING It  is  the  product  of  of  square  of  forward  surge  current  and  the  time  of  duration  of  the  surge

 VI CHARACTERISTICS OF SCR

FORWARD CHARCTERISTICS When  anode  is  +ve  w.r.t  cathode  the  curve  between  V  &  I  is  called  Forward  characteristics. OABC is the forward characteristics of the SCR at Ig =0. if the supplied voltage  is increased from zero point A is reached .SCR starts conducting voltage across SCR suddenly  drops (dotted curve AB) most of supply voltage appears across RL REVERSE CHARCTERISTICS  When anode is –ve w.r.t.cathode the curve b/w V&I is known as reverse characteristics  reverse voltage come across SCR when it is operated with ac supply reverse voltage is increased  anode current remains small avalanche breakdown occurs and SCR starts conducting heavily is  known as reverse breakdown voltage   SCR as a switch SCR Half and Full wave rectifier

Application SCR as a static contactor SCR for power control SCR for speed control of d. c. shunt motor Over light detector

Triggering (Turn on) Methods of Thyristor: Triggering:­ The turning on Process of the SCR is known as Triggering. In other words, turning the SCR from  Forward­Blocking  state  to  Forward­Conduction  state  is  known  as  Triggering.The  various  methods of SCR triggering are discussed here.

The various SCR triggering methods are x x x x x

Forward Voltage Triggering Thermal or Temperature Triggering Radiation or Light triggering dv/dt Triggering Gate Triggering

(a) Forward Voltage Triggering:­ x x x x

In this mode, an additional forward voltage is applied between anode and cathode. When the anode terminal is positive with respect to cathode(VAK) , Junction J1 and J3 is  forward biased and junction J2 is reverse biased. No current flows due to depletion region in J2 is reverse biased (except leakage current). As VAK is further increased, at a voltage VBO (Forward Break Over Voltage) the junction  J2  undergoes  avalanche  breakdown  and  so  a  current  flows  and  the  device  tends  to  turn  ON(even when gate is open)

(b) Thermal (or) Temperature Triggering:­ x x x

The width of depletion layer of SCR decreases with increase in junction temperature. Therefore in SCR when VAR is very near its breakdown voltage, the device is triggered by  increasing the junction temperature. By  increasing  the  junction  temperature  the  reverse  biased  junction  collapses  thus  the  device starts to conduct.

(c) Radiation Triggering (or) Light Triggering:­ x x x x

For light triggered SCRs a special terminal niche is made inside the inner P layer instead  of gate terminal. When light is allowed to strike this terminal, free charge carriers are generated. When  intensity  of  light  becomes  more  than  a  normal  value,  the  thyristor  starts  conducting. This type of SCRs are called as LASCR

(d) dv/dt Triggering:­ x x x

When the device is forward biased, J1 and J3 are forward biased, J2 is reverse biased. Junction J2 behaves as a capacitor, due to the charges existing across the junction. If voltage across the device is V, the charge by Q and capacitance by C then, ic=dQ/dt     Q=CV ic=d(CV)/dt  C.dV/dt+V.dC/dt as dC/dt = 0

ic = C.dV/dt     x

Therefore when the rate of change of voltage across the device becomes large, the device  may turn ON, even if the voltage across the device is small.

(e) Gate Triggering:­ x x x x

This is most widely used SCR triggering method. Applying  a  positive  voltage  between  gate  and  cathode  can  Turn  ON  a  forward  biased  thyristor. When a positive voltage is applied at the gate terminal, charge carriers are injected in the  inner P­layer, thereby reducing the depletion layer thickness. As the applied voltage increases, the carrier injection increases, therefore the voltage at  which forward break­over occurs decreases.

COMMUTATION OF SCR The term commutation basically means the transfer of current from one path to another. It is not possible for a thyristor to turn itself  O F F t h e circuit in which it is connected must reduce the thyristor current to  zero to enable it to turn off  ‘COMMUTATION’ is the term to describe the methodsof achieving this.Broadly classified into two  methods: 1.NATURAL COMMUTATION 2.FORCED COMMUTATION NATURAL COMMUTATION  This widely used method of commutation makes use of thealternating, reversing  nature of a.c voltage to effect the currentt r a n s f e r .   A s   t h e   c u r r e n t   p a s s e s   through natural zero, a reversev o l t a g e   w i l l   s i m u l t a n e o u s l y   a p p e a r   across the device. This i m m e d i a t e l y   t u r n s ­ o f f   t h e   d e v i c e .   T h i s   p r o c e s s   i s   c a l l e d   a s  natural commutation since no external circuit is required for  this purpose. FORCED COMMUTATION  In case of dc circuits, for switching off the thyristors, the f o r w a r d   c u r r e n t   s h o u l d   b e   f o r c e d   t o   b e   z e r o   b y   m e a n s   o f   s o m e   external circuits. The process is called forced  commutation. C L A S S I F I C A T I O N   O F   F R O C E D   C O M M U T A T I O N TECHNIQUES: T h e   c l a s s i f i c a t i o n   i s   b a s e d   o n   t h e   a r r a n g e m e n t   o f   commutating components and the manner in which zero currentis obtained in the  SCR.The six distinct classes by which the SCR can be turned off are: Class A Self commutated by a resonating load Class B Self commutated by a L­C circuit Class C C or L­C switched by another load carrying SCR ­Complementary commutation Class D C or L­C switched by an auxiliary SCR ­Auxiliary commutation Class E An external pulse source for commutation­External pulse commutation Class F AC line commutation Class A, Self commutated by resonating the load 

•When the SCR is triggered, anode current flows and charges up C with the dot as positive. •The L­C­R form a second order under­damped circuit. The current through the SCR builds up  and completes a half cycle. •When the inductor current will then attempt to flow through the SCR in the reverse direction  and the SCR will be turned off. Class B, Self commutated by an L­C circuit 

•T h e   C a p a c i t o r   C   c h a r g e s   u p   i n   t h e   d o t   a s   p o s i t i v e  before a gate  pulse is applied to the SCR. When SCR istriggered, the resulting current has two components. •T h e   c o n s t a n t   l o a d   c u r r e n t   I f l o w s   t h r o u g h   R   ­   L l o a d .   T h i s   i s   e n s u r e d   b y   t h e   l a r g e   r e a c t a n c e   i n   s e r i e s   w i t h the load and the freewheeling diode  clamping it. •A   s i n u s o i d a l   c u r r e n t   f l o w s   t h r o u g h   t h e   r e s o n a n t   L ­ C circuit to charge­up C with  the dot as negative at the end of the half cycle.

•T h i s   c u r r e n t   w i l l   t h e n   r e v e r s e   a n d   f l o w   t h r o u g h   t h e SCR in opposition to  the load current for a small fraction of t h e   n e g a t i v e   s w i n g   t i l l   t h e   t o t a l   c u r r e n t   t h r o u g h   t h e   S C R    becomes zero. •T h e   S C R   w i l l   t u r n   o f f   w h e n   t h e   r e s o n a n t – c i r c u i t (reverse) current  is just greater than the load current. •T h e   S C R   i s   t u r n e d   o f f   i f   t h e   S C R   r e m a i n s   r e v e r s e d  biased for t q> t off ,   a n d   t h e   r a t e   o f   r i s e   o f   t h e   r e a p p l i e d  voltage