Technische Information / technical information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module
TT140N16SOF
Key Parameters VDRM / VRRM
1600 V
ITAVM
140 A (TC=85 °C)
ITSM VT0
4700 3570AA(TC=55°C) 1,0 V
rT
1,6 mΩ
RthJC
0,18 K/W
Base plate
34 mm
Weight
165 g
For type designation please refer to actual short form catalog http://www.ifbip.com/catalog Merkmale
Features
Löt-Bond Technologie
Solder-Bond Technology
Industrie-Standard-Gehäuse Elektrisch isolierte Bodenplatte
Industrial standard package Electrically insulated base plate
Typische Anwendungen
Typical Applications
Sanftanlasser Gleichrichter für Antriebsapplikationen Leistungssteller Gleichrichter für UPS Batterieladegleichrichter Statische Umschalter
content of customer DMX code type designation serial number internal production order number material number date code (YY/WW) add on for date code
Date of Publication 2016-02-02
DMX code digit 1..18 19..23 24..31 32..41 42..45 46
Soft starter Rectifier for drives applications Power controllers Rectifiers for UPS Battery chargers Static switches
DMX code digit quantity 18 5 8 10 4 1
TT
TD
www.ifbip.com
[email protected]
Revision: 3.4
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Technische Information / technical information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module
TT140N16SOF TT140N16SOF... TD140N16SOF...
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = -40°C... Tvj max repetitive peak forward off-state and reverse voltages
VDRM,VRRM
1600 V
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state voltage
Tvj = -40°C... Tvj max
VDSM
1600 V
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage
Tvj = +25°C... Tvj max
VRSM
1700 V
ITRMSM
220 A
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert maximum RMS on-state current Dauergrenzstrom average on-state current
TC = 85°C
ITAVM
140 A
Stoßstrom-Grenzwert surge current
Tvj = 25°C, tP = 10ms Tvj = Tvj max, tP = 10ms
ITSM
4700 A 4000 A
Grenzlastintegral I²t-value
Tvj = 25°C, tP = 10ms Tvj = Tvj max, tP = 10ms
I²t
Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current
DIN IEC 60747-6 f = 50Hz, iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs
(diT/dt)cr
Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM 6.Kennbuchstabe / 6th letter C 6.Kennbuchstabe / 6th letter F
(dvD/dt)cr
Tvj = 25°C
vT
max.
1,41 V
Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaßspannung on-state voltage
iT = 500 A
110000 A²s 80000 A²s 200 A/µs
1000 V/µs
Schleusenspannung threshold voltage
Tvj = Tvj max
V(TO)
max.
1 V
Ersatzwiderstand slope resistance
Tvj = Tvj max
rT
max.
1,6 mΩ
Zündstrom gate trigger current
Tvj = 25°C, vD = 12V
IGT
max.
150 mA
Zündspannung gate trigger voltage
Tvj = 25°C, vD = 12V
VGT
max.
2 V
Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current
Tvj = Tvj max , vD = 12V Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
IGD
max. max.
10 mA 5 mA
Nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
VGD
max.
0,25 V
Haltestrom holding current
Tvj = 25°C, vD = 12V, RA = 1Ω
IH
max.
400 mA
Einraststrom latching current
Tvj = 25°C, vD = 12V, RGK ≥ 10Ω iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs, tg = 20µs
IL
max.
1000 mA
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse current
Tvj = Tvj max vD = VDRM, vR = VRRM
iD, iR
max.
40 mA
Zündverzug gate controlled delay time
DIN IEC 60747-6 Tvj = 25°C, iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs
tgd
max.
1 µs
prepared by: AG approved by: MS
Date of Publication 2016-02-02
date of publication: 2016-02-02 revision:
Revision: 3.4
3.4
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Technische Information / technical information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module
TT140N16SOF
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time
Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs 5.Kennbuchstabe / 5th letter O
tq
RMS, f = 50 Hz, t = 1min RMS, f = 50 Hz, t = 1sec
VISOL
Thermische Eigenschaften Isolations-Prüfspannung insulation test voltage
Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink
typ.
3,0 kV 3,6 kV
pro Modul / per Module, Θ = 180° sin RthJC pro Zweig / per arm, Θ = 180° sin pro Modul / per Module, DC pro Zweig / per arm, DC
max. max. max. max.
pro Modul / per Module pro Zweig / per arm
max. max.
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature
RthCH
0,095 0,190 0,090 0,180
K/W K/W K/W K/W
0,05 K/W 0,10 K/W 125 °C
Tvj max
Mechanische Eigenschaften
150 µs
Betriebstemperatur operating temperature
Tc op
-40...+125 °C
Lagertemperatur storage temperature
Tstg
-40...+125 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see annex
Seite 4 page 4
Innere Isolation internal insulation
Basisisolierung (Schutzklasse 1, EN61140) Basic insulation (class 1, IEC61140)
Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse mounting torque
Toleranz / Tolerance ± 15%
M1
5
Nm
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse terminal connection torque
Toleranz / Tolerance ± 15%
M2
5
Nm
Steueranschlüsse control terminals
DIN 46 244
Gewicht weight
Al2O3
A 2,8 x 0,8 G
typ.
165 g
Kriechstrecke creepage distance Schwingfestigkeit vibration resistance
mm f = 50 Hz file-No.
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Revision: 3.4
50 m/s² E 83336
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Technische Information / technical information d
Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module
1
2
3 5 4
7 6
TT
Date of Publication 2016-02-02
TT140N16SOF
1
2
3 5 4
TD
Revision: 3.4
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Technische Information / technical information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module
TT140N16SOF
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC for DC Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
Rthn [K/W]
0,0493
0,0759
0,0268
0,0156
0,0124
0
0
τn [s]
1,43
0,5
0,14
0,0138
0,0007
1
1
Z thJC
Analytische Funktion / Analytical function:
n max
–t
R thn 1 - e
n
n=1
Erhöhung des Zth DC bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Θ Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Θ ΔZth Θ rec / ΔZth Θ sin
Θ = 180°
Θ = 120°
Θ = 90°
Θ = 60°
Θ = 30°
ΔZth Θ rec [K/W]
0,01971
0,03515
0,04920
0,07591
0,13841
ΔZth Θ sin [K/W]
0,00288
0,00727
0,01441
0,03149
0,08882
Zth Θ rec = Zth DC + Zth Θ rec Zth Θ sin = Zth DC + Zth Θ sin
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Revision: 3.4
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Technische Information / technical information Diagramme
Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module
TT140N16SOF
0,20
Z(th)JC [K/W]
0,15
0,10
0,05
0,00 0,001
0,01
t [s] 0,1
1
10
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm ZthJC = f(t)
Durchgangsverluste Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ 100
10 vG [V]
c
Tvj = +125C
1
b
Tvj = -40 C
Tvj = +25C
a
0,1 10
100
1000
iG [mA]
10000
100000
Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 12 V Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 12 V Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) : a - 20W/10ms Date of Publication 2016-02-02
b - 40W/1ms Revision: 3.4
c - 60W/0,5ms Seite/page: 6/11
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TT140N16SOF
PTAV [W]
350 300
DC
250 180 sin
200
90 rec 60 rec
180 rec
120 rec
Q = 30 rec
150
100
Gehäusetemperatur bei Rechteck
50 0 0
50
100
150
200
250
ITAV [A] Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm PTAV = f(ITAV) Strombelastung je Zweig / Current load per arm Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen) Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately) Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ
140 120
T C [°C]
100 80 60 180 sin
40 30rec rec QQ= =30
60 rec
180 rec
90 rec 120 rec
DC
20 0
50
100
150
200
250
ITAVM [A] Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T C = f(ITAVM) Strombelastung je Zweig / Current load per arm Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen) Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately) Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ Date of Publication 2016-02-02
Revision: 3.4
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Technische Information / technical information
P tot [W]
Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module
TT140N16SOF
1500 0,10
B2
RthCA [K/W]
ID
0,12
+
0,15
~ 0,20 1000
R-Last R-load
-
0,25
L-Last L-load
0,30 0,40 0,60
500
0,80 1,00
1,00 1,00
2,00
2,00 0
10
30
50
70
90
0
110
50
100
150
200
250
300
350
I D [A]
T A [°C]
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I D B2- Zweipuls-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot Parameter: Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA
P tot [W]
2500
B6
R thCA [K/W]
ID
+
2000
0,10
3~
0,12
-
0,15 1500
0,20 0,25 0,30
1000
500
0,40 0,50 0,60
,
0,80 1,00
1,50 2,00 0,12
0 10
30
50
70
90
110
0
100
T A [°C]
200
300
400
ID [A]
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I D B6- Sechspuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P tot Parameter: Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA
Date of Publication 2016-02-02
Revision: 3.4
Seite/page: 8/11
Technische Information / technical information
P tot [W]
Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module
TT140N16SOF W 1C ~
R thCA K/W] 800
0,08
IRMS
0,10 0,12
0,15
600
~
0,20 0,25 0,30
400
0,40 0,50 0,60 0,80 1,00
200
2,00 0
10
30
50
70
90
0
110
100
TA [°C]
200 I RMS [A]
300
400
300
400
Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current IRMS W1C - Einphasen-Wechselwegschaltung / Single-phase inverse parallel circuit Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P tot Parameter: Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA
P tot [W]
2500 R thCA [K/W]
0,08
2000
~
W 3C ~
~ IRMS
0,10 0,12 ~
0,15
~
~
0,20 1500
0,25
0,30 1000
0,40
0,50 0,60 500
0,80 1,00
2,00 0
10
30
50
70
90
110
0
T A [°C]
100
200 I RMS [A]
Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current IRMS W3C - Dreiphasen-Wechselwegschaltung / Three-phase inverse parallel circuit Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P tot Parameter: Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA
Date of Publication 2016-02-02
Revision: 3.4
Seite/page: 9/11
Technische Information / technical information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module
TT140N16SOF
Qr [µAs]
10000
iTM = 500A 200A
1000
100A 50A 20A
100 1
10
-di/dt [A/µs]
100
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt) Tvj = Tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, vRM = 0,8 VRRM Parameter: Durchlaßstrom / On-state current iTM
3.000
IT(OV)M [A]
a TA = 35 C
2.000
1.000
TA = 45C
b 0 0,01
0,1
1
t [s] Grenzstrom / Maximum overload on-state current IT(OV)M = f(t), vRM = 0,8 VRRM a: Leerlauf / No-load conditions b: nach Belastung mit ITAVM / after load with ITAVM TA = 35°C, verstärkte Luftkühlung / Forced air cooling TA = 45°C, Luftselbstkühlung / Natural air cooling Date of Publication 2016-02-02
Revision: 3.4
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Technische Information / technical information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module
TT140N16SOF
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If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. Changes of this product data sheet are reserved.
Date of Publication 2016-02-02
Revision: 3.4
Seite/page: 11/11
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