FF11MR12W1M1_B11 EasyDUALModulmitCoolSiC™MOSFETundPressFIT/NTC EasyDUALmodulewithCoolSiC™MOSFETandPressFIT/NTC VorläufigeDaten/PreliminaryData

VDSS = 1200V ID nom = 100A / IDRM = 200A TypischeAnwendungen • AnwendungenmithohenSchaltfrequenzen • DC/DCWandler • SolarAnwendungen • USV-Systeme

TypicalApplications • HighFrequencySwitchingapplication • DC/DCconverter • Solarapplications • UPSsystems

ElektrischeEigenschaften • HoheStromdichte • NiederinduktivesDesign • NiedrigeSchaltverluste

ElectricalFeatures • Highcurrentdensity • Lowinductivedesign • Lowswitchinglosses

MechanischeEigenschaften • IntegrierterNTCTemperaturSensor • PressFITVerbindungstechnik • Robuste Montage durch integrierte Befestigungsklammern

MechanicalFeatures • IntegratedNTCtemperaturesensor • PressFITcontacttechnology • Rugged mounting due to integrated mounting clamps

ModuleLabelCode BarcodeCode128

DMX-Code

Datasheet www.infineon.com

ContentoftheCode

Digit

ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek)

1-5 6-11 12-19 20-21 22-23

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V2.0 2017-05-11

FF11MR12W1M1_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData MOSFET/MOSFET HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Drain-Source-Sperrspannung Drain-sourcebreakdownvoltage Drain-Gleichstrom DCdraincurrent GepulsterDrainstrom,tplimitiertdurch Tjmax Pulseddraincurrent,tplimitedbyTjmax Gate-Source-Spitzenspannung Gate-sourcepeakvoltage

Tvj = 25°C

VDSS



1200

 V

TH = 45°C

ID nom 

100

 A

ID puls 

200

 A

-10/20

 V

VGSS

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Einschaltwiderstand Drain-sourceonresistance Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage Gateladung Gatecharge InternerGatewiderstand Internalgateresistor Eingangskapazität Inputcapacitance Ausgangskapazität Outputcapacitance Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance Drain-Source-Reststrom Zerogatevoltagedraincurrent Gate-Source-Reststrom Gate-sourceleakagecurrent Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turnondelaytime,inductiveload Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turnoffdelaytime,inductiveload Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse Kurzschlußverhalten SCdata Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink

min.

ID = 100 A, VGS = -5/15 V, Tvj = 25°C

RDS on

ID=40,0mA,VDS=VGS,Tvj=25°C (testedafterIGSSatVGS=+20Vasprecondition)

VGS(th)

max.

11,0 3,50

4,50

mΩ 5,55

V

QG

0,25

µC

Tvj = 25°C

RGint

1,1

Ω

f = 1,00 MHz, Tvj = 25°C, VDS = 800 V, VGS = 0 V

Ciss

7,95

nF

f = 1,00 MHz, Tvj = 25°C, VDS = 800 V, VGS = 0 V

Coss

0,47

nF

f = 1,00 MHz, Tvj = 25°C, VDS = 800 V, VGS = 0 V

Crss

0,052

nF

VDS = 1200 V, VGS = 0 V, Tvj = 25°C

IDSS

38,0

µA

VDS = 0 V, VGS = 20 V, Tvj = 25°C

IGSS

480

nA

ID = 100 A, VDS = 600 V Tvj = 25°C VGS = -5/15 V Tvj = 125°C RG = 3,90 Ω Tvj = 150°C ID = 100 A, VDS = 600 V Tvj = 25°C VGS = -5/15 V Tvj = 125°C RG = 3,90 Ω Tvj = 150°C ID = 100 A, VDS = 600 V Tvj = 25°C VGS = -5/15 V Tvj = 125°C RG = 3,90 Ω Tvj = 150°C ID = 100 A, VDS = 600 V Tvj = 25°C VGS = -5/15 V Tvj = 125°C RG = 3,90 Ω Tvj = 150°C ID = 100 A, VDS = 600 V, Lσ = 35 nH Tvj = 25°C VGS = -5/15 V, di/dt = 5200 A/µs (Tvj = 150°C)Tvj = 125°C RG = 3,90 Ω Tvj = 150°C ID = 100 A, VDS = 600 V, Lσ = 35 nH Tvj = 25°C VGS = -5/15 V, du/dt = 23000 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RG = 3,90 Ω Tvj = 150°C tP ≤ 3 µs, Tvj ≤ 25°C tP ≤ 3 µs, Tvj ≤ 150°C

VGS = -5/15 V, VDD = 800 V VDSmax = VDSS -LsDS ·di/dt RG = 10,0 Ω proMOS-FET/perMOS-FET

25,0 21,5 21,5 16,5 16,5 16,5 64,5 68,0 68,0 28,0 31,0 31,0 1,40 1,45 1,50 0,645 0,665 0,665

td on

tr

td off

tf

Eon

Eoff

2

ns

ns

mJ

mJ A A

RthJH

0,553

K/W

-40 min.

Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C

ns

1200 1000

Tvj op

IS = 100 A, VGS = -5 V IS = 100 A, VGS = -5 V IS = 100 A, VGS = -5 V

ns

ISC

Revers-Diode/reverse-diode

Datasheet

typ.

VGS = -5/15 V, VDD = 800 V

TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions

Durchlassspannung Forwardvoltage



VSD

150 typ. 4,00 3,80 3,75

°C

max. 5,65 V

V2.0 2017-05-11

FF11MR12W1M1_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/CharacteristicValues

min.

typ.

max.

Nennwiderstand Ratedresistance

TNTC = 25°C

AbweichungvonR100 DeviationofR100

TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω

Verlustleistung Powerdissipation

TNTC = 25°C

B-Wert B-value

R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]

B25/50

3375

K

B-Wert B-value

R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]

B25/80

3411

K

B-Wert B-value

R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]

B25/100

3433

K

R25

5,00

∆R/R

-5

P25

kΩ 5

%

20,0

mW

AngabengemäßgültigerApplicationNote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.

Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.

InnereIsolation Internalisolation

Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140)



Al2O3



Kriechstrecke Creepagedistance

Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal



11,5 6,3

 mm

Luftstrecke Clearance

Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal



10,0 5,0

 mm



> 200



VISOL 

VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex

CTI

 kV

3,0

min. Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule

LsCE

Lagertemperatur Storagetemperature

Tstg

-40

Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder mountig force per clamp

F

20

Gewicht Weight

G

typ.

max.

9,0

24

nH 125

°C

50

N g

Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25 A effektiv pro Anschlusspin begrenzt. The current under continuous operation is limited to 25 A rms per connector pin.

Datasheet

3

V2.0 2017-05-11

FF11MR12W1M1_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData SichererArbeitsbereichMOSFET(SOA) safeoperatingareaMOSFET(SOA) ID=f(VDS) VGS=-5V/+15V,Tvj=150°C,RG=3.9Ω

TransienterWärmewiderstandMOSFET transientthermalimpedanceMOSFET ZthJH=f(t)

240

1 ID, Modul ID, Chip

Zth: Mosfet

200

ZthJH [K/W]

ID [A]

160

120

0,1

80

40 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,0383 0,107 0,363 0,0447 τi[s]: 0,000795 0,0138 0,1702 1,327

0

0

200

400

600 800 VDS [V]

1000

1200

0,01 0,001

1400

AusgangskennlinieMOSFET(typisch) outputcharacteristicMOSFET(typical) ID=f(VDS) VGS=15V

1

10

200 Tvj = 25 °C Tvj = 125 °C Tvj = 150 °C

180 160

160

140

140

120

120

100

100

80

80

60

60

40

40

20

20

0,0

Datasheet

0,5

1,0

Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C

180

ID [A]

ID [A]

0,1 t [s]

ÜbertragungscharakteristikMOSFET(typisch) transfercharacteristicMOSFET(typical) ID=f(VGS) VDS=20V

200

0

0,01

1,5

2,0 VDS [V]

2,5

3,0

3,5

0

4,0

4

1

2

3

4

5

6 7 VGS [V]

8

9

10

11

12

V2.0 2017-05-11

FF11MR12W1M1_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData SchaltverlusteMOSFET(typisch) switchinglossesMOSFET(typical) Eon=f(ID),Eoff=f(ID) VGS=+15V/-5V,RGon=3,9Ω,RGoff=3,9Ω,VDS=600V

SchaltverlusteMOSFET(typisch) switchinglossesMOSFET(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGS=+15V/-5V,ID=100A,VDS=600V

3,0

15,0 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C

Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C

13,5

2,5

12,0 10,5

2,0

E [mJ]

E [mJ]

9,0 1,5

7,5 6,0

1,0

4,5 3,0

0,5

1,5 0,0

0

20

40

60

80

100 120 140 160 180 200 ID [A]

0,0

0

4

8

12

16

20 24 RG [Ω]

28

32

36

40

NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) 100000 Rtyp

R[Ω]

10000

1000

100

0

Datasheet

20

40

60

80 100 TNTC [°C]

120

140

160

5

V2.0 2017-05-11

FF11MR12W1M1_B11 VorläufigeDaten PreliminaryData

Schaltplan/Circuitdiagram

Gehäuseabmessungen/Packageoutlines Infineon

Datasheet

6

V2.0 2017-05-11

TrademarksofInfineonTechnologiesAG µHVIC™,µIPM™,µPFC™,AU-ConvertIR™,AURIX™,C166™,CanPAK™,CIPOS™,CIPURSE™,CoolDP™,CoolGaN™,COOLiR™, CoolMOS™,CoolSET™,CoolSiC™,DAVE™,DI-POL™,DirectFET™,DrBlade™,EasyPIM™,EconoBRIDGE™,EconoDUAL™, EconoPACK™,EconoPIM™,EiceDRIVER™,eupec™,FCOS™,GaNpowIR™,HEXFET™,HITFET™,HybridPACK™,iMOTION™, IRAM™,ISOFACE™,IsoPACK™,LEDrivIR™,LITIX™,MIPAQ™,ModSTACK™,my-d™,NovalithIC™,OPTIGA™,OptiMOS™, ORIGA™,PowIRaudio™,PowIRStage™,PrimePACK™,PrimeSTACK™,PROFET™,PRO-SIL™,RASIC™,REAL3™,SmartLEWIS™, SOLIDFLASH™,SPOC™,StrongIRFET™,SupIRBuck™,TEMPFET™,TRENCHSTOP™,TriCore™,UHVIC™,XHP™,XMC™  TrademarksupdatedNovember2015  OtherTrademarks Allreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners.    Edition2017-05-11 Publishedby InfineonTechnologiesAG 81726München,Germany

©2017InfineonTechnologiesAG. AllRightsReserved. Doyouhaveaquestionaboutthisdocument? Email:[email protected]

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