U. Tietze' Ch. Schenk
Halbleiter-Schaltungstechnik
Mit 513 Abbildungen
Springer-Verlag Berlin Heidelberg GmbH
Ulrich Tietze, 7400 Tiibingen, Bei der Ochsenweide 4 Christoph Schenk, 7031 Magstadt, SchwabstraGe 25
ISBN 978-3-662-00085-4 ISBN 978-3-662-00084-7 (eBook) DOI 10.1007/978-3-662-00084-7
Alle Rechte vorbehalten. Kein Teil dieses Buches darf ohne schriftliche Gcnehmigung des Springer-Verlages tibersetzt oder in irgendeiner F onn vcrvielfeiltigt werden. © by Springer-Verlag Berlin Heidelberg 1969. UrsprUnglich erschienen bei Springer-Verlag Berlin· Heidelberg 1969
Softcover reprint of the hardcover l st edition 1969 Library of Congress Catalog Card Number 76-75374. Die Wiedergabe von Gebrauchsnamen, Handelsnamen, Warenbezeichnungen usw. in diesem Werk berechtigt auch ohne besondere Kennzeichnung nieht zu der Annahme, daB so1che Namen im Sinne der Warenzeichen- und MarkenschutzGesetzgebung als frei zu betrachten waren und daher von jedermann benutzt werden dtirften. Wir libernehmen auch keine Gewahr, daB clie in diesem Buch enthaltenen Angaben frei von Patentrechten sind; durch diese Veroffentlichung wird weder stillschweigend noch sonstwie eine Lizenz auf ctwa bestchende Patente gewtihrt. Titel-Nr. 1565
Vorwort Die Elektronik dringt in immer weitere Gebiete von Wissenschaft und Technik vor. Sie beschdinkt sich Hingst nicht mehr auf Nachrichtentechnik und Datenverarbeitung allein, sondern ist tiberall dort, wo es etwas zu messen oder zu regeln gilt, unentbehrlich geworden. Selbst wenn man dabei nur fertige Gerate zu bedienen hat, ist es oft notwendig, etwas tiber deren Funktionsweise zu wissen, urn sie voll ausntitzen zu konnen. Das vorliegende Buch solI helfen, die Wirkungsweise fertiger Schaltungen verstehen und auch selbstandig neue entwerfen zu konnen. Naturwissenschaftler und Studierende der Hoch- und Fachschulen werden in dem Buch eine Einftihrung in die Halbleiterschaltungstechnik finden. AuBerdem solI das Buch den Fachleuten eine ausftihrliche und kritische Ubersicht tiber die vieWiltigen Schaltungsmoglichkeiten bieten. Die auf diesem Gebiet bisher vorliegende Literatur beschreitet zwei prinzipiell verschiedene Wege: Einmal werden fertig dimensionierte Schaltungen mit einer qualitativen Beschreibung angegeben. Das hat den groBen Nachteil, daB man die Schaltungen exakt nachbauen muB und nicht den eigenen Betriebsbedingungen anpassen kann, wenn man nicht weiB, nach welchen Gesichtspunkten die Dimensionierung vorgenommen wird und wie man sie berechnet. Zum anderen werden einfache Schaltungen mit Hilfe der Vierpoltheorie sehr genau durchgerechnet. Das Ergebnis sind komplizierte Formeln, die sich nur schwer handhaben lassen. Hinzu kommt, daB man bei der Anwendung der Formeln die Daten der Halbleiter viel genauer kennen mtiBte, als sie yom Hersteller angegeben werden konnen. Aus diesem Grund haben wir bei den Berechnungen von vornherein untergeordnete Effekte vernachIassigt. Dadurch vereinfachen sich die Formeln beachtlich, ohne daB sich das numerische Ergebnis nennenswert andert. Es ist dann moglich, auch kompliziertere Schaltungen mit geringem mathematischem Aufwand zu berechnen. Die meisten Halbleiterdaten unterliegen nicht nur einer betrachtlichen Fertigungstoleranz, sondern sind auBerdem stark temperaturabhangig. Daher haben wir vorwiegend solche Schaltungen angegeben, deren Funktion von den Schwankungen der Halbleiterparameter nur wenig beeinfluBt wird. In diesem Zusammenhang spielt die Gegenkopplung eine groBe Rolle. Wir haben deshalb den etwas ungewohnlichen Weg beschritten, die Wirkungsweise und Schaltungstechnik der Gegenkopplung zunachst am Beispiel des idealen Operationsverstarkers zu
IV
Vorwort
beschreiben, ohne uns dabei urn seinen inneren Aufbau zu kiimmern. Die dort eingefUhrte Denkweise wenden wir dann spater auf viele Schaltungen an und gelangen dadurch zu einer besonders iibersichtlichen Funktionsbeschreibung, die sich in der praktischen Entwicklungsarbeit auBerordentlich gut bewahrt hat. Herrn Diplom- Physiker H. WEN KING danken wir fUr manche gute Anregung, ebenso Herrn Gymnasial-Professor J. SAMULEIT, der in vielen Diskussionen mitgeholfen hat, die Arbeit zu fOrdern. SchlieBlich danken wir dem Verlag fUr die gute Zusammenarbeit. Tiibingen und Magstadt, im Friihjahr 1969
U. TIETZE
CH. SCHENK
Inhaltsverzeichnis 1
Erkliirung der verwendeten GroBen
2
Dioden . . . . . . . . . . . .
5
2.1 Kennlinien und charakteristische Daten 2.2 Z- und Avalanche-Dioden . . . . . .
5 7
3
Gleichrichterschaltungen und passive Stabilisierungsschaltungen
3.1 3.2 3.3 3.4 3.5 3.6 3.7 3.8 3.9
Einweggleichrichterschaltung. . . . . . Vollweggleichrichterschaltung . . . . . Drehstrom-Briickengleichrichterschaltung Spannungsverdoppler . . . . . . . . . Spannungsvervielfacher . . . . . . . . Reihen- und Parallelschaltung von Dioden Filterschaltungen. . . . . . . . . . . . Spannungsstabilisierungsschaltungen mit Z-Dioden MeBgleichrichter . . . . . . . . . . . . . . .
19 23
4
RC- und LRC-Netzwerke
27
4.1 4.2 4.3 4.4 4.5 4.6 4.7 4.8 4.9
Der Hochpal3 . . . . . Der Tiefpal3 . . . . . . Anstiegszeit und Grenzfrequenz Weitwinkel-Phasenschieber Wien-Briicke Wien-Robinson-Briicke Doppel-T-Filter . . Klangregelschaltung Schwingkreis
27 33 35 36 37 39 40 41 42
5
Der Operationsverstiirker
44
5.1 5.2 5.3 5.4
Eigenschaften eines Operationsverstiirkers Umkehrverstiirker, Gegenkopplung . . . Elektrometerverstiirker . . . . . . . . Kompensation von Eingangsruhestrom und Offsetspannung
44 49
6
Der Transistor
65
6.1 6.2 6.3 6.4 6.5
Beschreibung Kennlinien Das Transistorrauschen Grenzdaten . . . . . Messung einiger charakteristischer Daten
65 66
9
9 11 13 13 15 16
17
57
61
69 72
75
Inhaltsverzeichnis
VI 7
Grundschaltungen.......
7.1 7.2 7.3 7.4 7.5 7.6
Emitterschaltung....... Kollektorschaltung, Emitterfolger Basisschaltung KaskodeschaItung....... Konstantstromquellen..... Schaltungen zur Erzeugung erdsymmetrischer Wechselspannungen
78 91 95 97 99 103
78
8
Niederfrequenz-Vorverstiirker . .
105
8.1 8.2 8.3 8.4 8.5
Z weistufiger NF -Verstarker. . . GegengekoppeIter NF-Verstarker Gegengekoppelter NF-Verstarker flir symmetrische Betriebsspannungen . NF-Verstarker mit dreistufiger Spannungsverstarkung NF-Verstarker mit Komplementartransistoren .
105 108 109 110 112
9
Differenzverstiirker
114
9.1 9.2 9.3 9.4 9.5 9.6 9.7 9.8
Grundschaltung.............. Differenzverstlirker mit hoher Gleichtaktunterdriickung . Differenzverstarker mit Nullpunkteinstellern Offsetspannungsdrift beim Differenzverstarker Darlington-Differenzverstarker . . . . . . Bootstrap-Differenzverstarker....... Differenzverstarker mit negativem Kollektorwiderstand Differenzverstarker mit Umkehrverstarker
114 117 119 120 121 122 123 124
10
Autbau von Operationsverstiirkern . . . .
126
10.1 10.2 10.3 10.4 10.5 10.6 10.7 10.8 10.9
Einfachste Ausflihrung . . . . . . . . . Operationsverstarker mit zweistufiger Spannungsverstarkung Operationsverstarker mit geringerer Drift . . . . . . . . . Operationsverstarker mit hoher Bandbreite . . . . . . . . Operationsverstarker mit komplementaren Differenzverstarkern Operationsverstarker mit geregelter Konstantstromquelle . . Operationsverstarker mit dreistufiger Spannungsverstarkung . Phasenkompensation bei Operationsverstarkern Messung einiger Operationsverstarkerdaten
127 128 129 129
11
Anwendungen der Operationsverstiirker
159
11.1 11.2
Addier- und Subtrahierschaltungen Prazisions-Niederfrequenz-Verstarker Konstantspannungsquellen . . . . . Konstantstromquellen . . . . . . . Der NIC (Negative Impedance Converter) Der Rotator Der Gyrator . Integratoren Differentiatoren PID-Regler . . Me13schaItungen Selektive Filter . Operationsverstarker als Schalter Analog-Multiplizierer . . . . .
11.3 11.4
11.5 11.6 11.7 11.8
11.9 11.10 11.11 11.12 11.13 11.14
130 131 133 134
153
159
164 165 166 169 174 178 182 189 192 197 205 213
220
Inhaltsverzeichnis 12
Leistungsverstiirker
VII
228
12.1 Emitterfolger . . . 12.2 Komplementare Emitterfolger . 12.3 Darlington-Schaltungen als komplementare Emitterfolger 12.4 50 W-Niederfrequenz-Verstarker . . . . . . . 12.5 Leistungsverstarker mit Transformatorkopplung
228 232 239 241 247
13
251
Stabilisierte N etzgeriite .
13.1 Eigenschaften. . . . . 13.2 Prinzip der Netzgerate . 13.3 Regelung der Ausgangsspannung bei konstanter Referenzspannung . 13.4 Ausfiihrungsformen des Leistungsverstarkers 13.5 Ausfiihrung der Regelverstarker 13.6 Prazisionsnetzgerate. . . . . . . . . . . 14
Breitbandverstiirker
14.1 Untere Grenzfrequenz 14.2 Obere Grenzfrequenz 14.3 Resonanzverstarker . 14.4 Kettenverstarker (distributed amplifier)
251 252 254 256 261 266 270 270 272
275 277
15
Oszillatoren
278
15.1 15.2 15.3 15.4 15.5
Allgemeine Riickkopplungsbedingung LC-Oszillatoren. Quarzoszillatoren . . . . . . . . . RC-Oszillatoren. . . . . . . . . . Synthetische Herstellung von Sinusschwingungen
278 280 283 285 291
16
Digitale GrundschaItungen
293
16.1 16.2 16.3 16.4 16.5 16.6
Der Transistor als Schalter Astabiler Multivibrator Univibrator . . . . . . RS-Flip-Flop. . . . . . Flip-Flop mit Vorbereitungseingangen Schmitt-Trigger. . . . . . . . . .
293 296 303 308 313 316
17
Feldeffekttransistoren
321
17.1 17.2 17.3 17.4 17.5 17.6 17.7 17.8 17.9 17.10 17.11
Klassifikation. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Kennlinien und charakteristische Daten von n-Kanal-Fets . Grenzdaten. . . . . . . . . . . . . . Grundschaltungen. . . . . . . . . . . . . . . Niederfrequenzverstarker mit Fet-Eingang DifTerenzverstarker mit hohem Eingangswiderstand Fet als Konstantstromquelle Fet als steuerbarer Widerstand . . . . . . Fet als Leistungsverstarker . . . . . . . . Astabiler Multivibrator fiir lange Schaltzeiten Univibrator fiir lange Schaltzeiten . . . . .
321 322 324 325 330 331 333 334 336 337 340
VIII
Inhaltsverzeichnis
18
Zerhacker und Modulatoren
342
18.1 18.2 18.3 18.4 18.5 18.6 18.7 18.8 18.9
Mechanische Zerhacker Transistorzerhacker Fet-Zerhacker Diodenzerhacker Ringmodulator . Photozerhacker. Modulator mit Kapazitatsdioden Zerhacker als Modulator und Synchrondemodulator Zerhackerverstarker . . . . . . . . .....
342 343 346 348 350 351 351 352 355
19
Spezialdioden . . .
361
19.1 19.2 19.3 19.4 19.5 19.6 19.7 19.8 19.9
Kapazitatsdioden (Varactor-Dioden) . . . . Metall-Halbleiter-Diode (Hot Carrier Diode) Speicher-Schalt-Diode (Step Recovery Diode) pin-Diode Tunneldiode . . . . . . Backward-Diode Feldeffektdiode (Curristor) Vierschichtdiode Trigger-Diode (Diac) .
361 362 362 362 362 365 365 366 368
20
Spezialtransistoren. .
370
20.1 20.2 20.3 20.4
Unijunction-Transistor . Thyristor. . . . Triac . . . . . Vierschichttriode
370 373 378 382
21
Photohalbleiter
.
383
21.1
Photometrie Photowiderstand Photodioden . . Photohalbleiter mit drei Elektroden Leuchtdioden
383 386 387 388 390
21.2 21.3 21.4 21.5
Literatur. . .
391
Sachverzeichnis
393