TechnischeInformation/TechnicalInformation

FS20R06VE3

IGBT-Module IGBT-modules

VorläufigeDaten PreliminaryData

IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage

Tvj = 25°C

VCES



600

 V

Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent

TC = 75°C, Tvj max = 175°C TC = 25°C, Tvj max = 175°C

IC nom  IC

20 25



PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent

tP = 1 ms

ICRM



40

 A

Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation

TC = 25°C, Tvj max = 175

Ptot



71,5

 W

Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage



VGES



+/-20

 V

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage

min.

IC = 20 A, VGE = 15 V IC = 20 A, VGE = 15 V IC = 20 A, VGE = 15 V

Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C

Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage

IC = 0,30 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C

Gateladung Gatecharge

VCE sat

A A

typ.

max.

1,55 1,70 1,80

2,00

V V V

VGEth

4,9

5,8

6,5

V

VGE = -15 V ... +15 V

QG



0,20



µC

InternerGatewiderstand Internalgateresistor

Tvj = 25°C

RGint



0,0



Ω

Eingangskapazität Inputcapacitance

f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V

Cies



1,10



nF

Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance

f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V

Cres



0,034



nF

Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent

VCE = 600 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C

ICES





1,0

mA

Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent

VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C

IGES





400

nA

td on



0,015 0,015 0,015



µs µs µs

tr



0,013 0,016 0,017



µs µs µs

td off



0,12 0,14 0,15



µs µs µs

tf



0,07 0,095 0,10



µs µs µs

Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload

IC = 20 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGon = 18 Ω

Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C

Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload

IC = 20 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGon = 18 Ω

Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C

Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload

IC = 20 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGoff = 18 Ω

Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C

Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload

IC = 20 A, VCE = 300 V VGE = ±15 V RGoff = 18 Ω

Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C

EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse

IC = 20 A, VCE = 300 V, LS = 50 nH VGE = ±15 V RGon = 18 Ω

Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C

Eon



0,32 0,44 0,49



mJ mJ mJ

AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse

IC = 20 A, VCE = 300 V, LS = 50 nH VGE = ±15 V RGoff = 18 Ω

Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C

Eoff



0,44 0,56 0,59



mJ mJ mJ

Kurzschlußverhalten SCdata

VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt

tP ≤ 8 µs, Tvj = 25°C tP ≤ 6 µs, Tvj = 150°C

ISC



140 100



A A

Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase

proIGBT/perIGBT

RthJC



1,90

2,10 K/W

Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)

RthCH



0,85

K/W

TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions



Tvj op

-40



preparedby:DPK

dateofpublication:2013-10-03

approvedby:RK

revision:2.0 1

150

°C

TechnischeInformation/TechnicalInformation

FS20R06VE3

IGBT-Module IGBT-modules

VorläufigeDaten PreliminaryData Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage

Tvj = 25°C

Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent



PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent

tP = 1 ms

Grenzlastintegral I²t-value

VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C

VRRM 

600

 V

IF



20

 A

IFRM



40

 A

I²t



49,0 45,0

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues

min.



typ.

max.

1,60 1,55 1,50

2,05

A²s A²s

Durchlassspannung Forwardvoltage

IF = 20 A, VGE = 0 V IF = 20 A, VGE = 0 V IF = 20 A, VGE = 0 V

Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C

VF

Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent

IF = 20 A, - diF/dt = 1800 A/µs (Tvj=150°C) VR = 300 V VGE = -15 V

Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C

IRM



30,0 32,0 34,0



A A A

Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge

IF = 20 A, - diF/dt = 1800 A/µs (Tvj=150°C) VR = 300 V VGE = -15 V

Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C

Qr



1,00 1,75 2,20



µC µC µC

AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy

IF = 20 A, - diF/dt = 1800 A/µs (Tvj=150°C) VR = 300 V VGE = -15 V

Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C

Erec



0,21 0,37 0,47



mJ mJ mJ

RthJC



2,70

3,00 K/W

Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)

RthCH



1,00

K/W

TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions



Tvj op

-40



Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.

VISOL 

InnereIsolation Internalisolation

Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140)





Al2O3

Kriechstrecke Creepagedistance

Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal





5,0 5,0

 mm

Luftstrecke Clearance

Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal





3,2 3,2

 mm

VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex



CTI



> 225

Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase

proDiode/perdiode

V V V

150

°C

Modul/Module  kV

2,5









min.

typ.

max.

LsCE



25



nH

RCC'+EE'



9,50



mΩ



Tstg

-40



125

°C

Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder mountig force per clamp



F

30

-

50

N

Gewicht Weight



G



10



g

preparedby:DPK

dateofpublication:2013-10-03

approvedby:RK

revision:2.0

Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule



Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip Moduleleadresistance,terminals-chip

TC=25°C,proSchalter/perswitch

Lagertemperatur Storagetemperature

2

TechnischeInformation/TechnicalInformation

FS20R06VE3

IGBT-Module IGBT-modules

VorläufigeDaten PreliminaryData AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=15V

AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C

40

40 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C

32

32

28

28

24

24

20

20

16

16

12

12

8

8

4

4

0

0,0

0,3

0,6

0,9

VGE = 19 V VGE = 17 V VGE = 15 V VGE = 13 V VGE = 11 V VGE = 9 V

36

IC [A]

IC [A]

36

1,2

1,5 1,8 VCE [V]

2,1

2,4

2,7

0

3,0

ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=20V

0,0

1,0

1,5

2,0

2,5 3,0 VCE [V]

3,5

4,0

4,5

5,0

SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=18Ω,RGoff=18Ω,VCE=300V

40

1,4 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C

36

Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C

1,2

32 1,0

28 24

0,8 E [mJ]

IC [A]

0,5

20

0,6

16 12

0,4

8 0,2 4 0

5

6

7

8 9 VGE [V]

10

11

0,0

12

preparedby:DPK

dateofpublication:2013-10-03

approvedby:RK

revision:2.0 3

0

10

20 IC [A]

30

40

TechnischeInformation/TechnicalInformation

FS20R06VE3

IGBT-Module IGBT-modules

VorläufigeDaten PreliminaryData SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=20A,VCE=300V

TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter transientthermalimpedanceIGBT,Inverter ZthJH=f(t)

2,0

10 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C

1,8 1,6

ZthJH: IGBT

1,4

ZthJH [K/W]

E [mJ]

1,2 1,0 0,8

1

0,6 0,4 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,213 0,437 1,11 0,989 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2

0,2 0,0

0

20

40

60

80

0,1 0,001

100 120 140 160 180 200 RG [Ω]

SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter (RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=18Ω,Tvj=150°C 44 IC, Modul IC, Chip 40

1

10

40 36

Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C

32

32

28

28

24

24

IF [A]

IC [A]

0,1 t [s]

DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF)

36

20

20 16

16

12

12

8

8

4

4 0

0,01

0

200

400 VCE [V]

600

0

800

preparedby:DPK

dateofpublication:2013-10-03

approvedby:RK

revision:2.0 4

0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 VF [V]

TechnischeInformation/TechnicalInformation

FS20R06VE3

IGBT-Module IGBT-modules

VorläufigeDaten PreliminaryData SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=18Ω,VCE=300V

SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG) IF=20A,VCE=300V

0,8

0,7 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C

Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 0,6

0,6

0,5

E [mJ]

E [mJ]

0,4 0,4

0,3

0,2

0,2

0,1

0,0

0

4

8

12

16

20 24 IF [A]

28

32

36

0,0

40

TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJH=f(t) 10

ZthJH [K/W]

ZthJH : Diode

1

i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,333 0,755 1,277 1,336 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2

0,1 0,001

0,01

0,1 t [s]

1

10

preparedby:DPK

dateofpublication:2013-10-03

approvedby:RK

revision:2.0 5

0

20

40

60

80

100 120 140 160 180 200 RG [Ω]

TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules

FS20R06VE3 VorläufigeDaten PreliminaryData

Schaltplan/circuit_diagram_headline

Gehäuseabmessungen/packageoutlines

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dateofpublication:2013-10-03

approvedby:RK

revision:2.0 6

TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules

FS20R06VE3 VorläufigeDaten PreliminaryData

Nutzungsbedingungen 

DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen. IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und MontagehinweisendesModulssindzubeachten. SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit. AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung. SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle -diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments; -denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen. Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben. InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten.

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dateofpublication:2013-10-03

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