Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules
BSM35GP120G
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage
VRRM
1600
V
Durchlaßstrom Grenzeffektivwert RMS forward current per chip
I FRMSM
40
A
Id
35
A
I FSM
315
A
Dauergleichstrom DC forward current
TC = 80°C
Stoßstrom Grenzwert
tP = 10 ms, Tvj =
surge forward current
tP = 10 ms, Tvj = 150°C
Grenzlastintegral
tP = 10 ms, Tvj =
2
I t - value
25°C
260
A
500
As
340
As
VCES
1200
V
I C,nom.
35
A
IC
45
A
I CRM
70
A
Ptot
230
W
VGES
+/- 20V
V
IF
35
A
I FRM
70
A
I 2t
310
A2s
VCES
1200
V
TC = 80 °C
I C,nom.
17,5
A
TC = 25 °C
IC
35
A
2
25°C
I t
tP = 10 ms, Tvj = 150°C
2 2
Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current
Tc = 80 °C TC = 25 °C
Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current
tP = 1 ms,
Gesamt-Verlustleistung total power dissipation
TC = 25°C
TC = 80 °C
Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Diode Wechselrichter/ Diode Inverter Dauergleichstrom DC forward current
Tc = 80 °C
Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current
tP = 1 ms
Grenzlastintegral I 2t - value
VR = 0V, tp = 10ms, Tvj = 125°C
Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current
tP = 1 ms, TC = 80°C
I CRM
35
A
Gesamt-Verlustleistung total power dissipation
TC = 25°C
Ptot
180
W
VGES
+/- 20V
V
IF
10
A
I FRM
20
A
Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper Dauergleichstrom DC forward current
Tc = 80 °C
Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current
tP = 1 ms
prepared by: Andreas Schulz
date of publication:29.03.2001
approved by: Robert Severin
revision: 3
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Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules
BSM35GP120G
Modul Isolation/ Module Isolation Isolations-Prüfspannung insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. NTC connected to Baseplate
VISOL
2,5
kV
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values min.
typ.
max.
VF
-
1,15
-
V
Tvj = 150°C
V(TO)
-
-
0,8
V
Ersatzwiderstand slope resistance
Tvj = 150°C
rT
-
-
10,5
mΩ
Sperrstrom reverse current
Tvj = 150°C,
IR
-
2
-
mA
Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse-Chip lead resistance, terminals-chip
TC = 25°C
RAA'+CC'
-
4
-
mΩ
min.
typ.
max.
-
2,4
2,85
V
-
2,9
-
V
VGE(TO)
4,5
5,5
6,5
V
Cies
-
1,5
-
nF
Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Durchlaßspannung forward voltage
Tvj = 150°C,
Schleusenspannung threshold voltage
IF = 35 A
VR = 1600 V
Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter VGE = 15V, Tvj = 25°C, Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage VGE = 15V, Tvj = 125°C,
IC =
35 A
IC =
35 A
IC =
1 mA
Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage
VCE = VGE,
Eingangskapazität input capacitance
f = 1MHz, Tvj = 25°C VCE = 25 V, VGE = 0 V
Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current
VGE = 0V,
Tvj = 25°C, VCE =
1200 V
VGE = 0V,
Tvj =125°C, VCE =
1200 V
Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn on delay time (inductive load) Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn off delay time (inductive load) Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse
Tvj = 25°C,
VCE = 0V, VGE =20V, Tvj =25°C I C = INenn,
VCC =
22 Ohm
VGE = ±15V, Tvj = 125°C, RG =
22 Ohm
I C = INenn,
600 V
VGE = ±15V, Tvj = 25°C, RG =
22 Ohm
VGE = ±15V, Tvj = 125°C, RG =
22 Ohm
I C = INenn,
600 V
VCC =
VGE = ±15V, Tvj = 25°C, RG =
22 Ohm
VGE = ±15V, Tvj = 125°C, RG =
22 Ohm
I C = INenn,
600 V
VCC =
VGE = ±15V, Tvj = 25°C, RG =
22 Ohm
VGE = ±15V, Tvj = 125°C, RG =
22 Ohm
I C = INenn,
600 V
VCC =
VGE = ±15V, Tvj = 125°C, RG = I C = INenn,
75 nH
VCC =
600 V
LS = Kurzschlußverhalten SC Data
22 Ohm
LS = VGE = ±15V, Tvj = 125°C, RG =
I CES
-
1,5
500
µA
-
2,0
-
mA
I GES
-
-
300
nA
td,on
-
50
-
ns
-
50
-
ns
-
55
-
ns
-
55
-
ns
600 V
VGE = ±15V, Tvj = 25°C, RG = VCC =
VCE sat
22 Ohm
tr
td,off
-
290
-
ns
-
320
-
ns
-
50
-
ns
-
70
-
ns
Eon
-
4,5
-
mWs
Eoff
-
4,3
-
mWs
I SC
-
160
-
A
tf
75 nH
tP ≤ 10µs, VGE ≤ 15V,
RG =
Tvj≤125°C,
VCC =
720 V
dI/dt =
2800 A/µs
22 Ohm
2(11) DB-PIM-10 (2).xls
Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules
BSM35GP120G
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values Modulinduktivität stray inductance module Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse-Chip lead resistance, terminals-chip
TC = 25°C
Diode Wechselrichter/ Diode Inverter Durchlaßspannung forward voltage
VGE = 0V, Tvj = 25°C,
IF =
35 A
VGE = 0V, Tvj = 125°C,
IF =
35 A
Rückstromspitze peak reverse recovery current Sperrverzögerungsladung recovered charge Abschaltenergie pro Puls reverse recovery energy
I F=INenn,
- diF/dt =
600 V
VGE = -10V, Tvj = 125°C, VR =
600 V
I F=INenn,
1400A/µs
VGE = -10V, Tvj = 25°C, VR =
600 V
VGE = -10V, Tvj = 125°C, VR =
600 V
I F=INenn,
1400A/µs
- diF/dt =
VGE = -10V, Tvj = 25°C, VR =
600 V
VGE = -10V, Tvj = 125°C, VR =
600 V
Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper VGE = 15V, Tvj = 25°C, Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage VGE = 15V, Tvj = 125°C,
IC =
17,5 A
IC =
17,5 A
IC =
0,6mA
Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage
VCE = VGE,
Eingangskapazität input capacitance
f = 1MHz, Tvj = 25°C VCE = 25 V, VGE = 0 V
Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current
VGE = 0V, Tvj = 25°C, VCE =
1200 V
VGE = 0V, Tvj = 125°C, VCE =
1200 V
Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current
Tvj = 25°C,
VCE = 0V, VGE = 20V, Tvj = 25°C
Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper Tvj = 25°C, Durchlaßspannung forward voltage Tvj = 125°C,
17,5 A
IF =
17,5 A
TC = 25°C
Abweichung von R100 deviation of R100
TC = 100°C, R100 = 493 Ω
Verlustleistung power dissipation
TC = 25°C
B-Wert B-value
R2 = R1 exp [B(1/T2 - 1/T1)]
max.
LσCE
-
-
100
nH
RCC'+EE'
-
7
-
mΩ
min.
typ.
max.
-
1,95
2,45
V
-
1,8
-
V
-
40
-
A
-
45
-
A
-
3,5
-
µAs
-
7,5
-
µAs
-
1,3
-
mWs
-
2,5
-
mWs
min.
typ.
max.
-
2,3
2,75
V
-
2,7
-
V
VGE(TO)
4,5
5,5
6,5
V
Cies
-
1,0
-
nF
VF
I RM
Qr
ERQ
VCE sat
I CES
-
1,0
500
µA
-
1,2
-
mA
-
-
300
nA
min.
typ.
max.
-
2,7
3,05
V
-
2,6
-
V
min.
typ.
max.
R25
-
5
-
kΩ
∆R/R
-5
5
%
20
mW
I GES
IF =
NTC-Widerstand/ NTC-Thermistor Nennwiderstand rated resistance
typ.
1400A/µs
VGE = -10V, Tvj = 25°C, VR = - diF/dt =
min.
VF
P25 B25/50
3375
K
3(11) DB-PIM-10 (2).xls
Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules
BSM35GP120G
Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case
RthJC
Gleichr. Diode/ Rectif. Diode
min.
typ.
max.
-
-
1
K/W
Trans. Wechsr./ Trans. Inverter
-
-
0,55
K/W
Diode Wechsr./ Diode Inverter
-
-
0,8
K/W
Trans. Bremse/ Trans. Brake
-
-
0,7
K/W
Diode Bremse/ Diode Brake
-
-
2,3
K/W
-
0,04
-
K/W
-
0,02
-
K/W
-
0,04
-
K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
Gleichr. Diode/ Rectif. Diode
λPaste=1W/m*K
thermal resistance, case to heatsink
Trans. Wechsr./ Trans. Inverter
λgrease=1W/m*K
RthCK
Diode Wechsr./ Diode Inverter Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature
Tvj
-
-
150
°C
Betriebstemperatur operation temperature
Top
-40
-
125
°C
Lagertemperatur storage temperature
Tstg
-40
-
125
°C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Innere Isolation internal insulation
Al2O3
CTI comperative tracking index
225 M
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque
3
Nm
±10%
Gewicht weight
G
300
g
4(11) DB-PIM-10 (2).xls
Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules
BSM35GP120G
Ausgangskennlinienfeld Wechselr. (typisch)
IC = f (VCE)
Output characteristic Inverter (typical)
VGE = 15 V
70
60 Tj = 25°C 50
Tj = 125°C
IC [A]
40
30
20
10
0 0
0,5
1
1,5
2
2,5
3
3,5
4
4,5
5
4
4,5
5
VCE [V]
Ausgangskennlinienfeld Wechselr. (typisch)
IC = f (VCE)
Output characteristic Inverter (typical)
Tvj = 125°C
70 VGE = 17V
60
VGE = 15V VGE = 13V
50
VGE = 11V VGE = 9V
IC [A]
40
30
20
10
0 0
0,5
1
1,5
2
2,5
3
3,5
VCE [V]
5(11) DB-PIM-10 (2).xls
Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules
BSM35GP120G
Übertragungscharakteristik Wechselr. (typisch)
IC = f (VGE)
Transfer characteristic Inverter (typical)
VCE = 20 V
70
60
50
Tj = 25°C Tj = 125°C
IC [A]
40
30
20
10
0 0
2
4
6
8
10
12
14
VGE [V]
Durchlaßkennlinie der Freilaufdiode Wechselr. (typisch) Forward characteristic of FWD Inverter (typical)
IF = f (VF)
70
60
50
Tj = 25°C Tj = 125°C
IF [A]
40
30
20
10
0 0
0,5
1
1,5
2
2,5
3
VF [V]
6(11) DB-PIM-10 (2).xls
Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules
BSM35GP120G
Schaltverluste Wechselr. (typisch)
Eon = f (IC), Eoff = f (IC), Erec = f (IC)
Switching losses Inverter (typical)
Tj = 125°C,
VGE = ±15 V,
VCC =
RGon = RGoff =
600 V 22 Ohm
14
12
Eon Eoff Erec
E [mWs]
10
8
6
4
2
0 0
10
20
30
40
50
60
70
80
IC [A]
Schaltverluste Wechselr. (typisch) Switching losses Inverter (typical)
Eon = f (RG), Eoff = f (RG), Erec = f (RG) Tj = 125°C, VGE = +-15 V ,
Ic = Inenn ,
VCC =
600 V
7 Eon 6
Eoff Erec
E [mWs]
5
4
3
2
1
0 0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
RG [Ω ]
7(11) DB-PIM-10 (2).xls
Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules
BSM35GP120G
Transienter Wärmewiderstand Wechselr. Transient thermal impedance Inverter
ZthJC = f (t)
1
Zth-IGBT
ZthJC [K/W]
Zth-FWD
0,1
0,01 0,001
0,01
0,1
1
10
t [s]
Sicherer Arbeitsbereich Wechselr. (RBSOA)
IC = f (VCE)
Reverse bias save operating area Inverter (RBSOA)
Tvj = 125°C, VGE = ±15V, RG =
22 Ohm
80 70 60 IC,Modul
50
IC [A]
IC,Chip 40 30 20 10 0 0
200
400
600
800
1000
1200
1400
VCE [V]
8(11) DB-PIM-10 (2).xls
Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules
BSM35GP120G
Ausgangskennlinienfeld Brems-Chopper-IGBT (typisch) Output characteristic brake-chopper-IGBT (typical)
IC = f (VCE) VGE = 15 V
35
30 Tj = 25°C Tj = 125°C
25
IC [A]
20
15
10
5
0 0
0,5
1
1,5
2
2,5
3
3,5
4
4,5
VCE [V]
Durchlaßkennlinie der Brems-Chopper-Diode (typisch) IF = f (VF) Forward characteristic of brake-chopper-FWD (typical) 35
30
25 Tj = 25°C Tj = 125°C
IF [A]
20
15
10
5
0 0
0,5
1
1,5
2
2,5
3
3,5
4
VF [V]
9(11) DB-PIM-10 (2).xls
Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules
BSM35GP120G
Durchlaßkennlinie der Gleichrichterdiode (typisch) Forward characteristic of Rectifier Diode (typical)
IF = f (VF)
70
60
50 Tj = 25°C Tj = 150°C
IF [A]
40
30
20
10
0 0
0,2
0,4
0,6
0,8
1
1,2
1,4
1,6
120
140
160
VF [V]
NTC- Temperaturkennlinie (typisch) R = f (T) NTC- temperature characteristic (typical) 100000
Rtyp
R[Ω ]
10000
1000
100 0
20
40
60
80
100
TC [°C]
10(11) DB-PIM-10 (2).xls
Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules
BSM35GP120G
Schaltplan/ Circuit diagram 21
8
22 20
1
2
3
23
19
7 14
18
13
24
4 12
9
16 17
5
15
6
NTC
11 10
Gehäuseabmessungen/ Package outlines
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
11(11) DB-PIM-10 (2).xls
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