Technische Information / technical information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module
TT425N
Key Parameters VDRM / VRRM
1200 V - 1800 V
ITAVM
471 A (TC=85 °C)
ITSM
14500 A
VT0
0,9 V
rT
0,35 mΩ
RthJC
0,065 K/W
Base plate
60 mm
Weight
1500 g
For type designation please refer to actual short form catalog http://www.ifbip.com/catalog Merkmale
Features
Druckkontakt-Technologie für hohe Zuverlässigkeit
Pressure contact technology for high reliability
Advanced Medium Power Technology (AMPT)
Advanced Medium Power Technology (AMPT)
Industrie-Standard-Gehäuse Elektrisch isolierte Bodenplatte
Industrial standard package Electrically insulated base plate
Typische Anwendungen
Typical Applications
Sanftanlasser Gleichrichter für Antriebsapplikationen Kurzschließer-Applikationen Leistungssteller Gleichrichter für UPS Batterieladegleichrichter Statische Umschalter Bypass-Schalter
content of customer DMX code serial number SAP material number Internal production order number datecode (production year) datecode (production week)
Date of Publication 2014-04-23
DMX code digit 1..5 6..12 13..20 21..22 23..24
Soft starter Rectifier for drives applications Crowbar applications Power controllers Rectifiers for UBS Battery chargers Static switches Bypass swich
DMX code digit quantity 5 7 8 2 2
Revision: 3.1
TT
TD
www.ifbip.com
[email protected]
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Technische Information / technical information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module
TT425N
TT425N Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = -40°C... Tvj max repetitive peak forward off-state and reverse voltages
TD425N VDRM,VRRM 1200 1400
1600 V 1800 V
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state voltage
Tvj = -40°C... Tvj max
VDSM
1200 1400
1600 V 1800 V
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage
Tvj = +25°C... Tvj max
VRSM
1300 1500
1700 V 1900 V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert maximum RMS on-state current
ITRMSM
800 A 471 A
Dauergrenzstrom average on-state current
TC = 85°C
ITAVM
Stoßstrom-Grenzwert surge current
Tvj = 25°C, tP = 10ms Tvj = Tvj max, tP = 10ms
ITSM
Grenzlastintegral I²t-value
Tvj = 25°C, tP = 10ms Tvj = Tvj max, tP = 10ms
I²t
Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current
DIN IEC 747-6 f = 50Hz, iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs
(diT/dt)cr
120 A/µs
Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM 6.Kennbuchstabe / 6th letter F
(dvD/dt)cr
1000 V/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaßspannung on-state voltage
Tvj = Tvj max , iT = 1500A
vT
max.
1,5 V
Schleusenspannung threshold voltage
Tvj = Tvj max
V(TO)
max.
0,9 V
Ersatzwiderstand slope resistance
Tvj = Tvj max
rT
max.
0,35 mΩ
Zündstrom gate trigger current
Tvj = 25°C, vD = 12V
IGT
max.
250 mA
Zündspannung gate trigger voltage
Tvj = 25°C, vD = 12V
VGT
max.
1,5 V
Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current
Tvj = Tvj max , vD = 12V Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
IGD
max. max.
10 mA 5 mA
Nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
VGD
max.
0,2 V
Haltestrom holding current
Tvj = 25°C, vD = 12V, RA = 1Ω
IH
max.
300 mA
Einraststrom latching current
Tvj = 25°C, vD = 12V, RGK ≥ 10Ω iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs, tg = 20µs
IL
max.
1500 mA
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse current
Tvj = Tvj max vD = VDRM, vR = VRRM
iD, iR
max.
100 mA
Zündverzug gate controlled delay time
DIN IEC 747-6 Tvj = 25°C, iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs
tgd
max.
prepared by: HR approved by: ML
Date of Publication 2014-04-23
14500 A 12500 A 1051000 A²s 781000 A²s
4 µs
date of publication: 2014-04-23 revision:
Revision: 3.1
3.1
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Technische Information / technical information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time
TT425N Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs 5.Kennbuchstabe / 5th letter O
tq
RMS, f = 50 Hz, t = 1min RMS, f = 50 Hz, t = 1sec
VISOL
Thermische Eigenschaften Isolations-Prüfspannung insulation test voltage
Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink
typ.
3,0 kV 3,6 kV
pro Modul / per Module, Θ = 180° sin RthJC pro Zweig / per arm, Θ = 180° sin pro Modul / per Module, DC pro Zweig / per arm, DC
max. max. max. max.
pro Modul / per Module pro Zweig / per arm
max. max.
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature
RthCH
0,0325 0,0650 0,031 0,062
K/W K/W K/W K/W
0,01 K/W 0,02 K/W 125 °C
Tvj max
Mechanische Eigenschaften
250 µs
Betriebstemperatur operating temperature
Tc op
-40...+125 °C
Lagertemperatur storage temperature
Tstg
-40...+130 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see annex
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Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Innere Isolation internal insulation
Basisisolierung (Schutzklasse 1, EN61140) Basic insulation (class 1, IEC61140)
Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse mounting torque
Toleranz / Tolerance ± 15%
M1
6
Nm
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse terminal connection torque
Toleranz / Tolerance ± 10%
M2
12
Nm
Steueranschlüsse control terminals
DIN 46 244
Gewicht weight
Schwingfestigkeit vibration resistance
typ.
1500 g 19 mm
f = 50 Hz file-No.
Date of Publication 2014-04-23
A 2,8 x 0,8 G
Kriechstrecke creepage distance
AlN
Revision: 3.1
50 m/s² E 83335
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Technische Information / technical information d
Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module
1
2 4 5
3 7 6
TT
Date of Publication 2014-04-23
TT425N
1
2
3
4 5
TD
Revision: 3.1
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Technische Information / technical information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module
TT425N
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC for DC Pos. n
1
2
3
4
5
Rthn [K/W]
0,0221
0,0223
0,0114
0,00486
0,00137
τn [s]
3,12
0,56
0,101
0,0086
0,00076
Z thJC
Analytische Funktion / Analytical function:
6
7
n max
–t
R thn 1 - e
n
n=1
Erhöhung des Zth DC bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Θ Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Θ ΔZth Θ rec / ΔZth Θ sin
Θ = 180°
Θ = 120°
Θ = 90°
Θ = 60°
Θ = 30°
ΔZth Θ rec [K/W]
0,00471
0,00766
0,00995
0,01370
0,02127
ΔZth Θ sin [K/W]
0,00277
0,00396
0,00553
0,00841
0,01586
Zth Θ rec = Zth DC + Zth Θ rec Zth Θ sin = Zth DC + Zth Θ sin
Date of Publication 2014-04-23
Revision: 3.1
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Technische Information / technical information Diagramme
Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module
TT425N
0,07 0,06
Z(th)JC [K/W]
0,05 0,04 0,03 0,02 0,01 0,00 0,001
0,01
0,1
1
t [s]
10
100
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm Z thJC = f(t)
Durchgangsverluste Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ 100
10
d c
vG [V]
b
Tvj = -40 C
Tvj max = +125 C
1
Tvj = +25 C
a
0,1
10
100
1000
iG [mA]
10000
100000
Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 12 V Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 12 V Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) : a - 40W/10ms
Date of Publication 2014-04-23
b - 80W/1ms
c - 100W/0,5ms
Revision: 3.1
d - 150W/0,1ms
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TT425N
1000 DC
PTAV [W]
900 800
180 rec 180 sin 120 rec
700 90 rec
600
60 rec
500
Q = 30 rec
400 300
Gehäusetemperatur bei Rechteck
200 100 0 0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
ITAV [A] Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm PTAV = f(ITAV) Strombelastung je Zweig / Current load per arm Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen) Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately) Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ
140 120
TC [°C]
100 80 60 180 sin
40
Q == 30 30 rec rec Q
60 rec
90 rec 120 rec
180 rec
DC
20 0
100
200
300
400
500 ITAVM [A]
600
700
800
900
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T C = f(ITAVM) Strombelastung je Zweig / Current load per arm Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen) Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately) Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
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Revision: 3.1
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Technische Information / technical information
P tot [W]
Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module
TT425N
3500
B2
RthCA [K/W] 3000
ID
0,02
0,05
+
0,08
~ 2500 0,12 2000
R-Last R-load
-
L-Last L-load
0,15
0,20
1500
0,25 0,30 1000
0,40 0,60
500
1,00 2,00
0 10
30
50
70
90
0
110
200
400
600
800
1000
1200
I D [A]
T A [°C]
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I D B2- Zweipuls-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot Parameter: Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA
P tot [W]
4500 0,08
4000
R thCA [K/W]
B6
ID
0,06
+
0,10
3~
3500 0,12 3000
-
0,15
2500 0,20 2000
0,25 0,30
,
1500 0,40 1000 500
0,60 1,00 2,00 2,00
0 10
30
50
70
90
110
0
200
400
600
T A [°C]
800
1000
1200
1400
1600
ID [A]
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I D B6- Sechspuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P tot Parameter: Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA
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Revision: 3.1
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TT425N
P tot [W]
1600
0,08
1400
W 1C ~
R thCA K/W]
0,06
IRMS
0,10 1200
0,12 ~
1000
0,15
800
0,20 0,25
600
0,30 0,40
400
0,60 200
1,00 2,00 2,00
0 10
30
50
70
90
0
110
200
400
TA [°C]
600 I RMS [A]
800
1000
1200
800
1000
1200
Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current IRMS W1C - Einphasen-Wechselwegschaltung / Single-phase inverse parallel circuit Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P tot Parameter: Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA 4500 0,05
P tot [W]
0,08
R thCA [K/W]
~
W 3C ~
~ IRMS
4000 0,10
3500 3000 2500 2000
0,12
~
~
~
0,15 0,20 0,25 0,30
1500 1000 500
0,40
0,60 1,00 2,50 2,50
0 10
30
50
70
90
110
0
T A [°C]
200
400
600 I RMS [A]
Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current IRMS W3C - Dreiphasen-Wechselwegschaltung / Three-phase inverse parallel circuit Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P tot Parameter: Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA
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Revision: 3.1
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TT425N
10000
Qr [µAs]
iTM = 2000A
1000A 500A 200A
100A 50A
1000
20A
100 1
10
100
-di/dt [A/µs]
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt) Tvj = Tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, vRM = 0,8 VRRM Parameter: Durchlaßstrom / On-state current iTM
10.000 a
IT(OV)M [A]
8.000
TA = 35 C 6.000
4.000
2.000 TA = 45 C
b
0 0,01
0,1
1
t [s] Grenzstrom / Maximum overload on-state current IT(OV)M = f(t), vRM = 0,8 VRRM a: Leerlauf / No-load conditions b: nach Belastung mit ITAVM / after load with ITAVM TA = 35°C, verstärkte Luftkühlung / Forced air cooling Kühlkörper / Heatsink type: KM17 (Papst 4650) TA = 45°C, Luftselbstkühlung / Natural air cooling Kühlkörper / Heatsink type: KM17 (120W)
Date of Publication 2014-04-23
Revision: 3.1
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TT425N
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If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. Changes of this product data sheet are reserved.
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Revision: 3.1
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