Datenblatt / Data sheet

N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor

T 2401N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = -40°C... Tvj max Kenndaten repetitive peak forward off-state and reverse voltages

VDRM,VRRM 4800 5200

5000 V V

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = 0°C... Tvj max repetitive peak forward off-state and reverse voltages

VDRM,VRRM 4950 5350

5150 V V

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert maximum RMS on-state current

ITRMSM

5600 A

Elektrische Eigenschaften

Dauergrenzstrom average on-state current

TC = 85 °C TC = 60 °C

ITAVM

2670 A 3600 A

Stoßstrom-Grenzwert surge current

Tvj = 25 °C, tP = 10 ms Tvj = Tvj max, tP = 10 ms

ITSM

55000 A 50000 A

Grenzlastintegral I²t-value

Tvj = 25 °C, tP = 10 ms Tvj = Tvj max, tP = 10 ms

I²t

15100 10³ A²s 12500 10³ A²s

Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current

DIN IEC 60747-6 f = 50 Hz, iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/µs

(diT/dt)cr

Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage

Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM th 5.Kennbuchstabe / 5 letter H

(dvD/dt)cr

Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaßspannung on-state voltage

Tvj = Tvj max , iT = 4000A

vT

typ. max.

1,95 V 2,1 V

Schleusenspannung threshold voltage

Tvj = Tvj max

V(TO)

typ. max.

1,032 V 1,09 V

Ersatzwiderstand slope resistance

Tvj = Tvj max

rT

typ. max.

0,231 mΩ 0,25 mΩ

Durchlaßkennlinie on-state characteristic

Tvj = Tvj max

typ.

300 A/µs

2000 V/µs

Zündstrom gate trigger current

Tvj = 25°C, vD = 6 V

IGT

0,6006 0,0000652 -0,00632 0,0181 0,659 0,0000694 -0,00642 0,01992 350 mA max.

Zündspannung gate trigger voltage

Tvj = 25°C, vD = 6 V

VGT

max.

2,5 V

Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current

Tvj = Tvj max , vD = 6 V Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM

IGD

max. max.

20 mA 10 mA

Nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage

Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM

VGD

max.

0,4 V

Haltestrom holding current

Tvj = 25°C, vD = 6 V, RA = 5 Ω

IH

max.

350 mA

Einraststrom latching current

Tvj = 25°C, vD = 6 V, RGK ≥ 10 Ω IL iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/µs, tg = 20 µs

max.

3 A

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse current

Tvj = Tvj max vD = VDRM, vR = VRRM

i D, i R

max.

600 mA

Zündverzug gate controlled delay time

DIN IEC 60747-6 Tvj = 25 °C,iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/µs

tgd

max.

v T = A + B ⋅ i T + C ⋅ Ln ( i T + 1) + D ⋅

iT

prepared by: J. Przybilla approved by: R. Keller

BIP AM / SM PB, 2001-04-09, Przybilla J. / Keller

max.

date of publication: revision:

A B C D A B C D

2 µs

15.05.03 4

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N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor

T 2401N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time

Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM

= 100 V, v = 0,67 V ThermischevdvEigenschaften /dt = 20 V/µs, -di /dt = 10 A/µs / 4 letter O Mechanische4.Kennbuchstabe Eigenschaften T =T RM

DM

D

Sperrverzögerungsladung recovered charge Rückstromspitze peak reverse recovery current

Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case

Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink

vj

tq

DRM

T th

vj max

iTM = ITAVM, -diT/dt = 10 A/µs VR = 0,5VRRM, VRM = 0,8VRRM Tvj = Tvj max iTM = ITAVM, -diT/dt = 10 A/µs VR = 0,5VRRM, VRM = 0,8VRRM

typ.

350

max.

13

max.

280

µs

Qr mAs

IRM

Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided, θ = 180°sin beidseitig / two-sided, DC Anode / anode, DC Kathode / cathode, DC

RthJC

Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided einseitig / single-sided

RthCH

max. max. max. max.

0,0054 0,005 0,009 0,0112

A

°C/W °C/W °C/W °C/W

max. 0,0015 °C/W max. 0,003 °C/W 125 °C

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature

Tvj max

Betriebstemperatur operating temperature

Tc op

-40...+125 °C

Lagertemperatur storage temperature

Tstg

-40...+150 °C

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see annex

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Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Anpresskraft clamping force Steueranschlüsse control terminals

F DIN 46244

Gewicht weight

Gate Kathode /Cathode

63...91 A 4,8x0,8 A 6,3x0,8

G

typ.

3000 g

Kriechstrecke creepage distance Schwingfestigkeit vibration resistance

kN

49 mm f = 50 Hz

50 m/s²

Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.

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N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor

T 2401N

Maßbild

1: Anode/Anode

4 5

2: Kathode/Cathode 1

2

4: Gate 5: Hilfskathode/ Cathode (control terminal)

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N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor

R,t – Werte R R,T-Werte beidseitig two-sided

anodenseitg anode-sided

kathodenseitig cathode-sided

T 2401N

Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC Pos. n Rthn [°C/W]

τn [s] Rthn [°C/W]

τn [s] Rthn [°C/W]

τn [s]

1

2

0,00158 0,00216 2,05

0,25

0,00558 0,00216 7,2

0,25

0,00778 0,00216 10

0,25

3

4

5

0,00042

0,00055

0,00029

0,09

0,0195

0,0055

0,00042

0,00055

0,00029

0,09

0,0195

0,0055

0,00042

0,00055

0,00029

0,09

0,0195

0,0055

ZthJC =

Analytische Funktion / Analytical function:

6

nmax

Σ

n=1

Rthn 1 − e

7

-t

τn

0 ,0 1 2

c

0 ,0 1 a

th JC

Z

0 ,0 0 6

[K/W]

0 ,0 0 8

d 0 ,0 0 4

0 ,0 0 2

0 0 ,0 0 1

0 ,0 1

0 ,1

1

10

100

t [s ]

Transienter innerer Wärmewiderstand für DC/ Transient thermal impedance Z thJC = f(t) for DC Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling

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N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor

T 2401N

6000

Diagramme Diagramme

Durchlasskennlinie 5000

iT [V]

4000

ty p .

m a x.

3000

2000

1000

0 0

0,5

1

1,5

2

2,5

v T [V ]

Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic iT = f(vT) Tvj = Tvj max

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T 2401N

30

Durchlassverluste

20

10

c 5

b a -40°C

2

+25°C

v G [V] +125°C 1

0,5

0,2

10

20

50

100

200

500

1000

2000

5000

10000

iG [mA]

Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 6 V Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 6 V Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) : a - 20 W/10ms

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b - 40 W/1ms

c - 60 W/0,5ms

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N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor

T 2401N

30

Tc beidseitig 25

Qr [mAs]

20

15

10

5

0 0

5

10

15

20

25

30

35

- d i/d t [ A /µ s ]

Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt) Tvj=Tvjmax, vR=0,5 VRRM, VRM=0,8 VRRM

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N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor

T 2401N

800

Ta bei Sinus 700

600

IRM [A]

500

400

300

200

100

0 0

5

10

15

20

25

30

35

- d i/d t [ A /µ s ]

Rückstromspitze / Peak reverse recovery current IRM = f(-di/dt) Tvj=Tvjmax, vR=0,5 VRRM, VRM=0,8 VRRM

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