Datenblatt / Data sheet Schnelle-Dioden-Modul Fast Diode Modul
DD61S
Key Parameters VRRM
1200V…1400V
IFAVM
61A (TC=100°C)
IFSM
1900A
VT0
1,0V
rT
2,2mΩ
RthJC
0,305K/W
Base plate
20mm
Weight
200g
For type designation please refer to actual short form catalog http://www.ifbip.com/catalog Merkmale
Features
Druckkontakt-Technologie für hohe Zuverlässigkeit
Pressure contact technology for high reliability
Industrie-Standard-Gehäuse
Industrial standard package
Elektrisch isolierte Bodenplatte
Electrically insulated base plate
Typische Anwendungen
Typical Applications
Gleichrichter für Antriebsapplikationen
Rectifier for drives applications
Gleichrichter für UPS
Rectifiers for UPS
Batterieladegleichrichter
Battery chargers
Entkopplungsdioden
Decoupling diodes
1
content of customer DMX code serial number SAP material number Internal production order number datecode (production year) datecode (production week)
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DMX code digit 1..5 6..12 13..20 21..22 23..24
DMX code digit quantity 5 7 8 2 2
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2
3
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DD61S
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltages Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage
DD61S12K DD61S14K
DD61S14K-K
Tvj = -40°C... Tvj max
VRRM
1200 V 1400 V
Tvj = +25°C... Tvj max
VRSM
1300 V 1500 V
IFRMSM
120 A 61 A 76 A
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert maximum RMS on-state current Dauergrenzstrom average on-state current
TC = +100°C TC = +84°C
IFAVM
Stoßstrom-Grenzwert surge current
Tvj = +45 °C, tP = 10 ms Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
IFSM
Grenzlastintegral I²t-value
Tvj = +45 °C, tP = 10 ms Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
I²t
Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaßspannung on-state voltage
1900 A 1600 A 18050 A²s 12800 A²s
max.
1,62 V
Tvj = Tvj max , iF = 230A
vF
Schleusenspannung threshold voltage
Tvj = Tvj max
V(TO)
1,0 V
Ersatzwiderstand slope resistance
Tvj = Tvj max
rT
2,2 mΩ
Sperrstrom reverse current
Tvj = Tvj max , vR = VRRM
iR
Nachlaufladung Lag charge
Tvj = Tvj max iFM = 120A, -diF/dt = 100A/µs
QS
46 µAs
VISOL
3,0 KV 2,5 kV
Isolations-Prüfspannung insulation test voltage
prepared by: AG approved by: ML
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RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
max.
40 mA
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DD61S
Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case
Thermische Eigenschaften
Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per Module, Θ = 180° sin RthJC pro Zweig / per arm, Θ = 180° sin pro Modul / per Module, DC pro Zweig / per arm, DC
max. max. max. max.
pro Modul / per Module pro Zweig / per arm
max. max.
RthCH
0,310 0,620 0,305 0,610
°C/W °C/W °C/W °C/W
0,08 °C/W 0,16 °C/W +150 °C
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature
Tvj max
Betriebstemperatur operating temperature
Tc op
-40...+150°C °C
Lagertemperatur storage temperature
Tstg
-40...+150°C °C
Mechanische Eigenschaften
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see annex
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Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Innere Isolation internal insulation
AlN
Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse mounting torque
Toleranz ±15%
M1
4
Nm
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse terminal connection torque
Toleranz +5%/-10%
M2
4
Nm
Gewicht weight
G
typ.
200 g
Kriechstrecke creepage distance
14 mm
Schwingfestigkeit vibration resistance
f = 50 Hz
UL-gelistet UL listed
file-No.
50 m/s² E 83335
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Maßbild
1
2
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DD
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1
2
3
DD-K
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R,T – Werte R,Tau-Glieder des Elements
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC Pos. n
1
2
3
4
5
Rthn [°C/W]
0,0102
0,0329
0,0805
0,0741
0,072
τn [s]
0,00112
0,0175
0,322
1,21
7,5
Z thJC
Analytische Funktion / Analytical function:
6
n max
7
–t
R thn 1 - e
n
n=1
Z thJC [°C/W]
Transienter Wärmewiderstand Θ= rec 60° rec 120° rec 180° sin 180° DC
0,70 0,60 0,50 0,40 0,30 0,20 0,10 0,00 0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
100
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm Z thJC = f(t) Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
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1000
Sperrverzögerungsladung Qr [µAs]
iFM = 320A 160A 80A 40A
100
20A 10A
10 1
10
100
-di/dt [A/µs]
1000
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)
Rückstromspitze Tvj = Tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, vRM = 0,8 VRRM Parameter: Durchlaßstrom / On-state current iFM
300
250
iFM = 320A
IRM [A]
160A
200 80A
150
40A 20A 10A
100
50
0 0
50
100
150
200
250 -di/dt [A/µs] 300
Rückstromspitze / Peak reverse recovery current IRM = f(-di/dt) Tvj = Tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, vRM = 0,8 VRRM Parameter: Durchlaßstrom / On-state current iFM
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